COMPARAISON DES METHODES DE GRAVURE D'UN MIROIR LASER PAR UN PROCEDE D'USINAGE COLLECTIFPECCOUD L; PELLETIER J.1977; COLLOQUE INTERNATIONAL SUR LA MICROLITHOGRAPHIE, MICROELECTRONIQUE, OPTIQUE; FRA; DA. 1977; DGRST-77 7 1946; PP. 351Conference Paper

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DEPOT EN PHASE GAZEUSE DE FILMS MINCES DE SILICIUM ET DE SILICE POUR LA MICROELECTRONIQUEPECCOUD L; MONTIER M.1975; ANN. CHIR.; FR.; DA. 1975; VOL. 10; NO 4-5; PP. 259-266; ABS. ANGLArticle

ETUDE DES DEFAUTS DE STRUCTURE INTRODUITS PAR LES PROCESSUS D'ELABORATION DES DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS. CORRELATION AVEC LES PERFORMANCESLAFEUILLE D; JULEFF EM; PECCOUD L et al.1972; DGRST-71 7 2617; FR.; DA. 1972; PP. (42 P.); H.T. 47; BIBL. 2 P. 1/2; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: COM. CIRCUITS ET COMPOSANTS MICROMINIATURISES). 2 FASCReport

Procédés de fabrication de micropointes en silicium = Manufacturing process of silicon microtipsMOREAU, D; BAPTIST, R; PECCOUD, L et al.Le Vide (1995). 1996, Vol 52, Num 282, pp 463-477, issn 1266-0167Article

Heat transfer in a microelectronics plasma reactorDAVIET, J.-F; PECCOUD, L; MONDON, F et al.Journal of applied physics. 1993, Vol 73, Num 3, pp 1471-1479, issn 0021-8979Article

Electrostatic clamping applied to semiconductor plasma processing. I: Theoretical modelingDAVIET, J.-F; PECCOUD, L; MONDON, F et al.Journal of the Electrochemical Society. 1993, Vol 140, Num 11, pp 3245-3256, issn 0013-4651Article

Perspectives en gravure sèche des nouveaux réacteurs plasma : applications à la microélectronique = Future prospects in dry etching of new plasma reactorsPECCOUD, L.Le Vide, les couches minces. 1991, Vol 47, Num 256, pp 76-84, issn 0223-4335, SUPConference Paper

New trends and limits in plasma etchingPECCOUD, L; LAPORTE, P; ARROYO, J et al.Journal of physics. D, Applied physics (Print). 1987, Vol 20, Num 7, pp 851-857, issn 0022-3727Article

XPS studies of contamination of reactor and silicon surfaces caused by reactive ion etchingERMOLIEFF, A; AMOUROUX, A; MARTHON, S et al.Semiconductor science and technology. 1991, Vol 6, Num 4, pp 290-295, issn 0268-1242, 6 p.Article

X-ray photoelectron spectroscopy studies of contamination and cleaning of surfaces exposed to a fluorocarbon plasmaERMOLIEFF, A; MARTHON, S; BERTIN, F et al.Journal of vacuum science and technology. A. Vacuum, surfaces, and films. 1991, Vol 9, Num 6, pp 2900-2906, issn 0734-2101Article

PECVD silicon oxides as studied by XPS, RBS, ERDA, IRS and ESRERMOLIEFF, A; SINDZINGRE, T; MARTHON, S et al.Applied surface science. 1993, Vol 64, Num 3, pp 175-183, issn 0169-4332Article

Etude de la gravure des grilles de silicium polycristallin dans un réacteur decr = Study of pollycrystalline silicon etching in a DECR reactorGUILLERMET, M; PECCOUD, L; FLORIN, B et al.Le Vide, les couches minces. 1991, Vol 47, Num 256, pp 125-128, issn 0223-4335, SUPConference Paper

Nettoyage de surface de silicium par un plasma en postdécharge = Surface cleaning of silicon by a plasma in afterglowCHARLET, B; PECCOUD, L.Le Vide, les couches minces. 1991, Vol 47, Num 256, pp 143-145, issn 0223-4335, SUPConference Paper

Deep and fast plasma etching for silicon micromachiningFRANCOU, M; DANEL, J. S; PECCOUD, L et al.Sensors and actuators. A, Physical. 1995, Vol 46, Num 1-3, pp 17-21, issn 0924-4247Conference Paper

Properties of SiO₂ films prepared by PECVD in a O₂/SiH₄ or N₂O/SiH₄ microwave downstream dischargeDEL PUPPO, H; SINDZINGRE, T; PECCOUD, L et al.Le Vide, les couches minces. 1991, Vol 47, Num 256, pp 204-206, issn 0223-4335, SUPConference Paper

Le mode triode synchronise : effet de la synchronisation sur les tensions RF et d'auto-polarisation dans un réacteur triode = The triode synchronized mode: effect of synchronization on RF and self-polarization voltage in a triode reactorBOUYER, B; THENOZ, Y; BRIAUD, P et al.Le Vide, les couches minces. 1991, Vol 47, Num 256, pp 101-104, issn 0223-4335, SUPConference Paper

Optimisation d'un procédé de gravure isotrope du BPSG = Optimization of a BPSG isotrop etching processCLAUDE, R; PECCOUD, L; LASSAGNE, P et al.Le Vide, les couches minces. 1991, Vol 47, Num 256, pp 307-309, issn 0223-4335, SUPConference Paper

XPS studies of contamination and cleaning of silicon and reactor surfaces exposed to a fluorocarbon plasmaDAVIET, J. F; PECCOUD, L; LASSAGNE, P et al.Le Vide, les couches minces. 1991, Vol 47, Num 256, pp 304-306, issn 0223-4335, SUPConference Paper

DEVELOPMENT PROCESS OF SILICON FILMS OBTAINED BY RHEOTAXY ON TINNED SHEET FOR SOLAR CELLSPECCOUD L; BOSELLI A.1981; ; LUX; LUXEMBOURG: OFFICE OF OFFICIAL PUBLICATIONS OF THE EUROPEAN COMMUNITIES; DA. 1981; EUR/7081; 10 P.-PL.; 30 CM; BIBL. 5 REF.; ENERGYReport

DEPOT D'ISOLANTS EN PHASE GAZEUSE ASSISTE D'UN PLASMA MOYENNE FREQUENCE BASSE TEMPERATURE 200^OC: APPLICATION AUX TECHNOLOGIES SUR SILICIUM ET SUR SEMI-CONDUCTEURS COMPOSESPECCOUD L; CHEVALLIER M.1978; ; FRA; DA. 1978; DGRST 77 7 0989; 26-(22) P.; 30 CM; BIBL. 10 REF.; ACTION CONCERT.: COMPOS. CIRCUITS MICROMINIAT.Report